任职要求:
1. 专业要求:i. 材料、光学、物理、微电子及相关专业。ii. 博士学历或有多年相关产业工作经历的硕士、本科。
2. 岗位职责:参与设计研发基于宽带隙半导体的X射线探测器和成像芯片。主要负责基于以下三方面开发:(ⅰ)宽带隙半导体的MOCVD外延;(ⅱ)X射线探测器设计和流片;(ⅲ)X射线探测器测试和分析。
3. 任职要求:i. 具有MOCVD、ALD、MBE和溅射等真空镀膜经验;ii. 熟练掌握半导体基本理论和元器件相关知识;iii. 具有二极管、场效应管等半导体器件制备和表征经验,具有黄光区光刻经验;iv. 熟悉X射线成像原理和具有辐射电子学相关研究经验;v. 具备良好的沟通能力,执行力及抗压能力强;工作认真积极、有责任心,有较强的团队合作意识。
福利待遇:
1. 进入省直事业编制:聘期内提供15 - 35万元的年薪,视情况可面议;
2. 提供20 - 30万元的安家费,符合条件人员可享受三年内免费人才公寓;
3. 提供20 - 50万元科研启动经费;
4. 协助解决配偶工作及子女入园、入学问题;
5. 享受郑州市人才生活补贴和购房补贴政策。